报告题目：氮化镓半导体材料的生长及应用

报告人：徐科，中科院苏州纳米所

报告时间：2015年05月27日，上午10:00-11:00

报告地点：907号楼1楼报告厅

报告摘要：III族氮化物半导体材料具有优异的光电特性，目前在半导体照明等领域取得巨大应用成功。过去三十年的氮化物半导体都是基于异质外延生长来制备器件，2014年诺贝尔物理奖获得者中村修二预言，下一代照明技术将以同质外延技术为基础。报告首先介绍III族氮化物半导体材料的物性及高质量材料的生长制备方法进展，然后围绕III族氮化物在半导体照明、激光显示、功率电子等应用领域发展所面临的科学和技术难题，展开讨论。主要内容包括GaN单晶材料的生长，III族氮化物的应用前景和产业趋势发展趋势，重点讨论GaN基光电子器件中的基础问题和突破方向。

报告人简介

    徐科，1995～1998年就读于中科院上海光学精密机械研究所，获博士学位。之后在日本千叶大学光电子研究中心从事氮化物半导体材料的研究工作，2006年起加入中科院苏州纳米所，现任纳米测试分析中心主任、所长助理。曾荣获2007年“苏州工业园区首届科技领军人才”称号、2008年“首届姑苏创新创业人才”、“江苏省双创人才”称号、2010年荣获第十三届中国科协“求是杰出青年奖”、2011年苏州市市长奖、2012年入选国家“千人计划”（创业类），2012年荣获全国产学研合作创新成果奖、中国科学院国际合作青年科学家奖，2013年获得国家杰出青年基金资助。现任“863”计划新材料领域主题专家、国家纳米技术标准委员会委员、中国电子学会高级会员、电子材料分会副主任委员。徐科博士长期围绕高质量氮化物半导体材料生长、相关材料与器件物理开展研究。开展了多种与GaN晶格匹配的单晶体生长，在LiAlO2(100)衬底上用MOCVD方法首次外延生长出非极性m面GaN；系统研究了GaN的MOCVD和MBE生长机理，氮化物的极性选择、极性控制，阐明了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响，是国际上最早发现InN窄带隙的研究者之一；近年来重点开展氮化物的氢化物气相外延(HVPE)生长研究、极低缺陷密度氮化物材料的物性研究，研发出可以连续稳定生产GaN单晶衬底的HVPE系统，开发出高质量完整2英寸单晶氮化镓衬底，并实现批量生产；开展了纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与装备研制、微纳尺度原位加工与测试技术的融合，并用于半导体中单个缺陷和低维结构的新奇物性研究。发表SCI论文80余篇，申请专利50项、其中授权15项，国际专利3项，国际会议特邀报告20余次。

                                              (报告联系人：孙洪涛老师）